- Модель продукта STD10NM60N
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:8557
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 550mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 70W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±25V
- 600 V
- 19 nC @ 10 V
- 540 pF @ 50 V