- Модель продукта XP8NA2R2CXT
- Бренд YAGEO XSEMI
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerLDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Ta), 168A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.2mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 113.6W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PMPAK® 5 x 6
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 179 nC @ 10 V
- 9328 pF @ 60 V