- Модель продукта XP3NA7R2MT
- Бренд YAGEO XSEMI
- RoHS Yes
- Описание FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerLDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 22.7W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PMPAK® 5 x 6
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 38.4 nC @ 10 V
- 1600 pF @ 15 V