- Модель продукта XP65SL190DI
- Бренд YAGEO XSEMI
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2495
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3 Full Pack
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 190mOhm @ 6.2A, 10V
- Материал феррулы 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220CFM
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 92.8 nC @ 10 V
- 3312 pF @ 100 V