- Модель продукта XP3P020M
- Бренд YAGEO XSEMI
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2498
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.3A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 9A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SO
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 19.2 nC @ 4.5 V
- 2080 pF @ 15 V