Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
• Глубина 880pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 7A, 10V
• Тип симистора 8nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.2V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO