Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 100V
• Толщина внешнего контактного покрытия 2.5A (Ta)
• Глубина 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V
• Сопротивление при 25°C 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
• Тип симистора 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO