- Модель продукта XP3C023AMT
- Бренд YAGEO XSEMI
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N AND P-CH 30V 12A 10A
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:2500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerLDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3.57W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Ta), 10A (Ta)
- Глубина 2320pF @ 15V, 2480pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 10.4mOhm @ 10A, 10V, 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
- Тип симистора 19.2nC @ 4.5V, 21.6nC @ 4.5V
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение PMPAK® 5 x 6