- Модель продукта XP10N3R8P
- Бренд YAGEO XSEMI
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 130A TO220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:2498
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 130A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.88mOhm @ 60A, 10V
- Материал феррулы 2W (Ta), 125W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 136 nC @ 10 V
- 6560 pF @ 80 V