Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 11.2A (Ta), 8A (Ta)
• Глубина 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
• Тип симистора 19.2nC @ 4.5V
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO