- Модель продукта XP2530AGY
- Бренд YAGEO XSEMI
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N AND P-CH 30V 3.3A 2.3A
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:2495
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.136W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
- Глубина 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
- Тип симистора 4.5nC @ 4.5V
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-26
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Инвентаризация: 21825
MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Инвентаризация: 19864
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
Инвентаризация: 7384
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A SOT23-6L
Инвентаризация: 5990
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A SOT23-6
Инвентаризация: 5040
