- Модель продукта XP10TN135H
- Бренд YAGEO XSEMI
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:2500
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 8.1A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 135mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 2W (Ta), 20.8W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 17.6 nC @ 10 V
- 928 pF @ 50 V