- Модель продукта SIR5211DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 31.2A (Ta), 105A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.2mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 56.8W (Tc)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 2.5V, 10V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 158 nC @ 10 V
- 6700 pF @ 10 V