- Модель продукта SIRS4600DP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 58A (Ta), 334A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.2mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 7.4W (Ta), 240W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 162 nC @ 10 V
- 7655 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Инвентаризация: 7527
MOSFET P-CH
Инвентаризация: 1460
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Инвентаризация: 8970
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Инвентаризация: 0
