Технические детали

• Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel Complementary
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 280mW (Ta), 6W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 930mA (Ta), 3.5A (Tc), 570mA (Ta), 2.3A (Tc)
• Глубина 43.6pF @ 10V, 53.5pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 320mOhm @ 1.2A, 4.5V, 770mOhm @ 1.2A, 4.5V
• Тип симистора 0.9nC @ 4.5V, 0.8nC @ 4.5V
• Барьерный тип 1V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение DFN1010B-6