- Модель продукта STP26NM60N
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2382
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 165mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 140W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 600 V
- 60 nC @ 10 V
- 1800 pF @ 50 V