- Модель продукта G120N03D32
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:6495
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 20W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 28A (Tc)
- Глубина 1089pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 10A, 10V
- Тип симистора 18nC @ 10V
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05)