- Модель продукта IPD90N03S4L02ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:53828
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.2mOhm @ 90A, 10V
- Материал феррулы 136W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 90µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3-11
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±16V
- 30 V
- 140 nC @ 10 V
- 9750 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
Инвентаризация: 4705
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Инвентаризация: 8680
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Инвентаризация: 0
