- Модель продукта IPD50N10S3L16ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2281
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 50A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 15mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 100W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 60µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3-11
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 64 nC @ 10 V
- 4180 pF @ 25 V