- Модель продукта IPD031N06L3GATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:72131
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.1mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 167W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 93µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 79 nC @ 4.5 V
- 13000 pF @ 30 V