Инвентаризация:93663

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Ta), 23A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 12A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 32W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 12µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-5
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 9.1 nC @ 10 V
  • 756 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON

Инвентаризация: 28833

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Инвентаризация: 3822

Top