Инвентаризация:13775

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta), 55A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 12.3mOhm @ 33A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 66W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 33µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-1
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 25 nC @ 10 V
  • 1870 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 49A TDSON

Инвентаризация: 22013

MOSFET N CH 60V 5A TSOT26

Инвентаризация: 6261

MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 125V 1A SOT23-3

Инвентаризация: 113846

Top