- Модель продукта BSC082N10LSGATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7869
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13.8A (Ta), 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 8.2mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 156W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 110µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-1
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 104 nC @ 10 V
- 7400 pF @ 50 V