- Модель продукта ICE10N60B
- Бренд IceMOS Technology
- RoHS No
- Описание Superjunction MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3100
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 330mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 95W (Tc)
- Барьерный тип 3.9V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 43 nC @ 10 V
- 1250 pF @ 25 V