- Модель продукта STD2HNK60Z-1
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4554
Технические детали
- Тип монтажа TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.8Ohm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 45W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 50µA
- Максимальное переменное напряжение TO-251 (IPAK)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 600 V
- 15 nC @ 10 V
- 280 pF @ 25 V