- Модель продукта SI7898DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:14351
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 3.5A, 10V
- Материал феррулы 1.9W (Ta)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 21 nC @ 10 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Инвентаризация: 8242
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Инвентаризация: 2813
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Инвентаризация: 16209
