Инвентаризация:11990

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 15.2A (Ta), 28A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 73W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 130 nC @ 10 V
  • 5915 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON

Инвентаризация: 12469

MOSFET 2N-CH 40V 10.6A POWERDI50

Инвентаризация: 806

MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8

Инвентаризация: 5822

Top