Инвентаризация:11499

Технические детали

  • Тип монтажа 6-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 700mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5A
  • Глубина 500pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 54mOhm @ 5A, 4.5V
  • Тип симистора 7.3nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (2x2)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88

Инвентаризация: 9873

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

Инвентаризация: 4286

Top