- Модель продукта G1K8P06S2
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:5500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.2A (Tc)
- Глубина 594pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 170mOhm @ 1A, 10V
- Тип симистора 11.3nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP
Сопутствующие товары
MOSFET 2P-CH 60V 0.32A SOT363
Инвентаризация: 4032
MOSFET 2P-CH 20V 4A 6PPAK
Инвентаризация: 6000
MOSFET 2P-CH 40V 9A 8SOP
Инвентаризация: 7980
MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8SOP
Инвентаризация: 2474
MOSFET 2P-CH 20V 0.4A SOT563
Инвентаризация: 5998
