- Модель продукта BSZ100N06LS3GATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:97160
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta), 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 2.1W (Ta), 50W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 23µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TSDSON-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 45 nC @ 10 V
- 3500 pF @ 30 V