- Модель продукта FDB047N10
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.7mOhm @ 75A, 10V
- Материал феррулы 375W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 210 nC @ 10 V
- 15265 pF @ 25 V