Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.4W, 2W
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 7.6A, 11A
• Глубина 910pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
• Тип симистора 11nC @ 4.5V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 2.25V @ 25µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO