Инвентаризация:2130

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 79mOhm @ 13.2A, 15V
  • Материал феррулы 136W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +15V, -4V
  • 650 V
  • 46 nC @ 15 V
  • 1020 pF @ 600 V

Сопутствующие товары


SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X

Инвентаризация: 800

SICFET N-CH 650V 36A TO263-7

Инвентаризация: 3950

SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L

Инвентаризация: 136

Top