- Модель продукта APTM50TDUM65PG
- Бренд Microsemi Corporation
- RoHS No
- Описание MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа SP6
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 390W
- Внутренняя отделка контактов 500V
- Толщина внешнего контактного покрытия 51A
- Глубина 7000pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 78mOhm @ 25.5A, 10V
- Тип симистора 140nC @ 10V
- Барьерный тип 5V @ 2.5mA
- Максимальное переменное напряжение SP6-P