- Модель продукта APTM120TDU57PG
- Бренд Microsemi Corporation
- RoHS No
- Описание MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа SP6
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 390W
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 17A
- Глубина 5155pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 684mOhm @ 8.5A, 10V
- Тип симистора 187nC @ 10V
- Барьерный тип 5V @ 2.5mA
- Максимальное переменное напряжение SP6-P