- Модель продукта APTM10TDUM19PG
- Бренд Microsemi Corporation
- RoHS No
- Описание MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа SP6
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 208W
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 70A
- Глубина 5100pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 21mOhm @ 35A, 10V
- Тип симистора 200nC @ 10V
- Барьерный тип 4V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение SP6-P