Технические детали

• Тип монтажа SP1
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 4 N-Channel (Full Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 208W
• Внутренняя отделка контактов 1000V (1kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 11A
• Глубина 3876pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 960mOhm @ 9A, 10V
• Тип симистора 150nC @ 10V
• Барьерный тип 5V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение SP1