- Модель продукта APTM100A23SCTG
- Бренд Microsemi Corporation
- RoHS No
- Описание MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа SP4
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 694W
- Внутренняя отделка контактов 1000V (1kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 36A
- Глубина 8700pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 270mOhm @ 18A, 10V
- Тип симистора 308nC @ 10V
- Барьерный тип 5V @ 5mA
- Максимальное переменное напряжение SP4