Технические детали

• Тип монтажа SP3
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1250W
• Внутренняя отделка контактов 1000V (1kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 68A
• Глубина 17400pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 120mOhm @ 34A, 10V
• Тип симистора 616nC @ 10V
• Барьерный тип 5V @ 10mA
• Максимальное переменное напряжение SP3