Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 4 N-Channel (Full Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 50A (Tj)
• Глубина 5400pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 28.9mOhm @ 30A, 15V
• Тип симистора 162nC @ 15V
• Барьерный тип 3.9V @ 17mA