- Модель продукта SISS5623DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13064
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
- Барьерный тип 2.6V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 33 nC @ 10 V
- 1575 pF @ 30 V