Технические детали

• Тип монтажа 6-VDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 6.25W
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 11.6A (Tc), 9A (Tc)
• Глубина 677pF @ 10V, 744pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
• Тип симистора 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
• Тип подключения Logic Level Gate, 1.8V Drive
• Барьерный тип 1V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 6-TDFN (2x2)