- Модель продукта MMRF1314H-1200
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS 52V NI1230
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа SOT-979A
- Толщина контактного покрытия 10µA
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 1.2GHz ~ 1.4GHz
- Скорость 2 N-Channel
- Общее сопротивление 1000W
- Площадь (Д x Ш) 17.7dB
- Функция - Освещение LDMOS (Dual)
- Максимальное переменное напряжение NI-1230-4H
- Длина ножки 105 V
- 52 V
- 100 mA