- Модель продукта MHTG1200HSR3
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET GAN NI780
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа NI-780S-4L
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 2.4GHz ~ 2.5GHz
- Скорость 2 N-Channel
- Общее сопротивление 300W
- Функция - Освещение GaN
- Максимальное переменное напряжение NI-780S-4L
- Длина ножки 50 V