- Модель продукта A3I25X050GNR1
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS 28V OM400G-8
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа OM-400G-8
- Толщина контактного покрытия 10µA
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 2.3GHz ~ 2.7GHz
- Скорость 2 N-Channel
- Общее сопротивление 5.6W
- Площадь (Д x Ш) 28.8dB @ 3.84GHz
- Функция - Освещение LDMOS (Dual)
- Максимальное переменное напряжение OM-400G-8
- Длина ножки 65 V
- 28 V
- 130 mA