Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel Complementary
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2.5W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Tc), 5.5A (Tc)
• Глубина 500pF @ 25V, 810pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 8A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
• Тип симистора 6nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.5V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOP