Технические детали

• Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel Complementary
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.9W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 12V
• Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Ta)
• Глубина 495pF @ 6V, 520pF @ 6V
• Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 4.5A, 4.5V
• Тип симистора 6.6nC @ 4.5V, 9.2nC @ 4.5V
• Барьерный тип 1V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 6-DFN (2x2)