- Модель продукта NTMS4177PR2G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:8121
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.6A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 11.4A, 10V
- Материал феррулы 840mW (Ta)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 55 nC @ 10 V
- 3100 pF @ 24 V