- Модель продукта MRF6VP11KGSR5
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:3650
Технические детали
- Тип монтажа NI-1230-4S GW
- Толщина контактного покрытия 100µA
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 1.8MHz ~ 150MHz
- Скорость 2 N-Channel
- Общее сопротивление 1000W
- Площадь (Д x Ш) 26dB @ 130MHz
- Функция - Освещение LDMOS (Dual)
- Максимальное переменное напряжение NI-1230-4S GULL
- Длина ножки 110 V
- 50 V
- 150 mA