- Модель продукта A2T18H455W23NR6
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание RF MOSFET LDMOS 31.5V OM1230-42
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1653
Технические детали
- Тип монтажа OM-1230-4L2S
- Толщина контактного покрытия 10µA
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 1.805GHz ~ 1.88GHz
- Скорость N-Channel
- Общее сопротивление 87W
- Площадь (Д x Ш) 14.5dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение OM-1230-4L2S
- Длина ножки 65 V
- 31.5 V
- 1.08 A